НАСТОЛЬНАЯ ПЛАЗМЕННАЯ СИСТЕМА MINIPLASMA-CUBE
Универсальная система MINIPLASMA-cube является самой маленькой лабораторной системой, позволяющая проводить исследования в области плазменных процессов.
С системой могут быть поставлены 4 модуля:
■ RIE
реактивное ионное травление, обработка поверхности

■ PECVD
Плазмохимическое осаждение, плазменная полимеризаци, озоление

■ Particle
Обработка поверхности

■ Sputtering
Нанесение покрытий


Плазменные источники:
■ RIE (CCP)
■ PE (CCP)

Основные параметры системы:
■ Размеры, мм: 510(Ш) х 340(Г) х 440(В)
■ Вес, кг: 40
■ Электропитание: 2 фазное 208 В (+/- 10%), 10 А, 50/60 Гц

Источник плазмы:
■ высокочастотная емкостная плазма плотностью 109 см^-3 (Ar, 500 мторр)
■ электронная температура: 1^-3 еВ
■ ВЧ-генератор и согласующее устройство: 13,56 МГц, 300 Вт

Камера:
■ цилиндирическая, Ø 105 мм;
■ анодированный алюминий;
■ ручная загрузка и выгрузка образцов;
■ центральная подача газа (тип душ)

Подложкодержатель:
■ для пластин Ø75 мм
■ регулировка по высоте на 40 мм
- опционно:
охлаждение газом
ВЧ-смещение
Нагреватель

Вакуумная система:
турбомолекулярный насос 340 л/с (опционно), пластинчато-роторный вакуумный насос 290 л/мин, опционно – безмасляный насос, электромагнитный вакууный клапан, автоматическое вентилирование.

Примеры конфигурации плазменной системы MINIPLASMA-station

	верхний модуль	камера	нижний модуль	вакуум	подача газа/пара, кол. каналов
Плазменная полимеризация	CCP	Ø 15 или 20 см	нагреваемый	низкий	нетокс. газ - 2 к испаритель - 1 к
Обработка поверхности	CCP	Прямоугольная 300х200 мм	охлаждаемый	низкий	нетокс. газ - 3 к
Наночастицы и ALD	импульс. ICP	Ø 15 или 20 см	нагреваемый	высокий	имульсная подача токс. газа - 1 к
PEALD	CCP	Ø 15 или 20 см	нагреваемый	низкий	нетокс. газ - 2 к токсич. газ - 3 к
ICP травление	CCP	Ø 15 или 20 см	CCP	высокий	нетокс. газ - 2 к токсич. газ - 1 к
RIE травление		Ø 15 или 20 см	CCP	высокий	нетокс. газ - 2 к токсич. газ - 1 к
ICP CVD	ICP	Ø 15 или 20 см	нагреваемый	высокий	нетокс. газ - 2 к токсич. газ - 2 к
PECVD	CCP	Ø 15 или 20 см	нагреваемый	низкий	нетокс. газ - 2 к токсич. газ - 2 к
Озоление	ICP remote	Ø 15 или 20 см	нагреваемый	низкий	нетокс. газ - 2 к
Напыление	Источник напыления	Ø 15 или 20 см	нагреваемый	высокий	нетокс. газ - 2 к

ПЛАЗМЕННАЯ СИСТЕМА MINIPLASMA-ATMOS

Система плазменной обработки поверхности поставляется в лабораторном исполнении (модель MINIPLASMA-ATMOS LAB) или изготавливается под заказчика (модель MINIPLASMA-ATMOS CUSTOM).

Обработка поверхности плазменным разрядом удаляет загрязнения с поверхности, активирует её, что во многих случаях качественным образом влияет на результаты технологических процессов, проводимых с поверхностью.

Если на вашем производстве используется обработка поверхности, обратитесь к нашим специалистам с описанием вашей задачи, и под ваши требования будет изготовлена установка плазменной обработки поверхности, используя которую в своём технологическом процессе, вы получите значительно более качественный конечный продукт.

Параметры разряда установки МINIPLASMA-ATMOS LAB
Тип плазменного разряда	Тлеющий разряд
Тип плазменного разряда	Тлеющий разряд
Плотность разряда	1011 -1012 cм-3
Температура газа	< 250 С (при подаче от генератора 300 Вт)
Объем	200 x 10x5/100 x 25 x 5

Спецификация системы МINIPLASMA-ATMOS LAB
Питание системы	220 В, 50 или 60 Гц
ВЧ генератор	600 Вт при 13.56 MГц 300 Вт at 13.56 MHz
Подача газа	< 5 л/ мин / < 2.5л/мин
Подаваемые газы	Ar, He
Реактивные газы	O2, N2, CF4
Допустимая ширина образцов	Макс. 200 мм / макс. 100 мм
Скорость перемещения образца	макс. 200 мм/с / макс. 100 мм/с
Ход механизма перемещения	ось X - 250 мм, ось Z - 20 мм / ось X - 200 мм, ось Z - 20 мм (ручн)
Размеры (мм)	1130x800x1400 / 750x800x1400

СИСТЕМА АНАЛИЗА ПЛАЗМЫ ЛЕНГМЮРОВСКИМ ЗОНДОМ

Параметры и возможность их диагностирования в плазме
Плотность	108 -1013 cм-3
Температура электронов	< 10 eВ
Плавающий потенциал	-250 … +250 В
Потенциал в плазме	доступно
Поток ионов	доступно

Электрические параметры
Напряжение питания	220 В, 60 Гц
Напряжение питания зонда	-50 … +50 В
Максимальный ток зонда	25 мA
Диапазон плавающего потенциала	250 … +250 В
Ширина полосы пропускания аналогового сигнала	25 кГц

Параметры для чистки
Ток	< 50 мA
Напряжение	0 … +125 В
Время чистки	0,1 … 5 сек
Тип	Стандартный 19''
Размеры, мм	446 x 133 x 450
Вес	18 кг

Материалы зонда DLP2000
керамика (окись алюминия 99.8 %), O3/8'' кремниевый однонаправленный переключатель, O1'' вольфрам, O 0,5/1,0 мм, длина 10/20 мм

АНАЛИЗ СВОЙСТВ ПЛАЗМЫ PLASMETREX, ГЕРМАНИЯ

Измерительная система Hercules для измерения свойств плазмы немецкой компании Plasmetrex используется для создания и отладки плазменного оборудования, например, систем травления и плазмохимического осаждения, а также для контроля параметров полупроводникого технологического оборудования или иных задач, в которых используется ВЧ плазменный разряд. Система Hercules измеряет основные параметры плазмы в режиме реального времени и не вносит каких-либо изменений в плазму и изучаемый процесс.

Система Hercules состоит из датчика (вид датчика показан на рисунке справа), высокоскоростного цифрового преобразователя для конвертации сигнала от датчика в цифровой сигнал (внешний вид показан на странице сверху справа), программного обеспечения для анализа и визуализации.

Система мониторинга параметров плазмы Hercules основана на анализе спектра резонансного самовозбуждения электронов плазмы (Self Excited Electron Plasma Resonance Spectroscopy, SEERS) для плазмы низкого давления и на методе NEED (Nonlinear Extended Electron Dynamics) для средних давлений.

Система мониторинга параметров плазмы Hercules обеспечивает высокое временное разрешение, используя сверхбыстрый алгоритм анализа данных. Пиковое значение ВЧ излучения или напряжение смещения измеряется с помощью емкостного делителя напряжения.

Данные от датчика, установленного на стенке вакуумной камеры, попадают дальше в цифровую систему для последующей визуализации и анализа

Методы SEERS и NEED позволяют определить средние по объему параметры плазмы. Датчик монтируется на стенку камеры, никаких дополнительных изменений в конструкцию камеры вносить не надо. Фактически сенсор ведет себя как часть стены, он заземлен и таким образом не оказывает влияния на плазменные процессы. Сенсор измеряет только ВЧ ток, таким образом отсутствует влияние полимеров или каких-либо других изолирующих плёнок на результат измерений. Напряжение между стенкой камеры и электродами датчика менее 100 мВ.

	Hercules® PMX 500	Hercules® PMX 1000	Hercules® C 500	Hercules® C 1000	Hercules® N 100
Плотность электронов	да	да	да	да	нет
Частота столкновений электронов	да	да	да	да	да
Сопротивление плазмы	да	да	да	да	да
Ширина пространственного заряда	расчетная	расчетная	пост.	пост.	нет
ВЧ ток	да	да	да	да	да
Измерение пика напряжения	да	да	нет	нет	нет
диапазон измерений
Плотность электронов	109 – 1011 см-3		109 – 1011 см-3
Частота столкновений электронов	107 – 5 х 109 с-1		107 – 5 х 109 с-1
SEERS	да	да	да	да	нет
NEED	опционно	опционно	нет	нет	да
Частота возбуждения	10 - 35 MHz	10 - 70 MHz	10 - 35 MHz	10 - 70 MHz	13.56 MHz
Диапазон давлений:                           Зависит от типа газа, геометрии реактора и ВЧ-мощности
SEERS	до 35 Пa (250 мторр)		до 35 Пa (250 мторр)		нет
NEED	60 Пa - 1 кПa (0.5 - 7.5 торр)		нет		60 Пa - 1 кПa (0.5 - 7.5 торр)
Системы травления	RIE-, MERIE-системы		RIE-, MERIE-системы		Системы среднего давления для плазменного травления
	TCP, ICP	Dual frequency	TCP, ICP	Dual frequency
Системы CVD	HDP		HDP		(PE) CVD